參數(shù)資料
型號(hào)： SI1417EDH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 41K
代理商： SI1417EDH
TrenchFET Power MOSFETS: 1.8-V Rated
ESD Protected: 3000 V
Thermally Enhanced SC-70 Package
Load Switching
PA Switch
Level Switch
Si1417EDH
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71412
S-03187—Rev. A, 05-Mar-01
www.vishay.com
1
P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.085 @ V
GS
= –4.5 V
–3.3
–12
0.115 @ V
GS
= –2.5 V
–2.9
0.160 @ V
GS
= –1.8 V
–2.4
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
D
D
G
D
D
S
Marking Code
BB
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
D
S
G
3 k
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–12
Gate-Source Voltage
V
GS
12
V
T
A
= 25 C
–3.3
–2.7
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–2.4
–1.9
Pulsed Drain Current
I
DM
–8
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–1.4
–0.9
T
A
= 25 C
1.56
1.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
0.81
0.52
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
60
80
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
100
125
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
34
45
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1426DH Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
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