型號(hào): | SI1410EDH |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
中文描述: | N溝道20 - V(下局副局長(zhǎng))MOSFET的 |
文件頁(yè)數(shù): | 5/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 49K |
代理商: | SI1410EDH |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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SI1917EDH | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
SI2302ADS | N-Channel MOSFET, 20V(D-S) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI1410EDH_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
SI1410EDH_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
SI1410EDH-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI1410EDH-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 3.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SI1410EDH-T1-GE3 | 制造商:Vishay 功能描述:N-Ch MOSFET 20V 70mohm @ 4.5V 制造商:Vishay 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 6-Pin SC-70 T/R |