參數(shù)資料
型號： SI1410EDH
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： SI1410EDH
Si1410EDH
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71409
S-03185
—
Rev. A, 05-Mar-01
–
0.4
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.2
1.5
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
1
2
3
4
5
6
0.1
1
10
I
D
= 3.7 A
0
0.3
0.6
0.9
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
–
r
D
)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
0
0.001
7
35
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
21
28
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 100 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
10
1
0.01
T
J
= 25 C
14
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PDF描述
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