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參數(shù)資料
| 型號： | SI1032R |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | N溝道20 - V（下局副局長）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SI1032R |
Si1032R/X
Vishay Siliconix
Document Number: 71172
S-40574—Rev. C, 29-Mar-04
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C UNLESS NOTED)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
r
D
)
0
20
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
50
25
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
0
10
20
30
40
50
0
50
100
150
200
250
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
= 0 V
f = 1 MHz
I
D
Drain Current (mA)
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200 mA
V
GS
= 1.8 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
6
I
D
= 175 mA
1000
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 200 mA
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 1.8 V
I
D
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= 50 C
10
100
V
DS
= 10 V
I
D
= 150 mA
r
D
(
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PDF描述 |
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