參數(shù)資料
型號(hào)： SI1037X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 45K
代理商： SI1037X
TrenchFET Power MOSFET
Low Threshold
Smallest LITTLE FOOT Package: 1.6 mm x 1.6 mm
Low 0.6-mm Profile
Cell Phones and Pagers
– Load Switch
Battery Operated Systems
Si1037X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 70686
S-04766—Rev. A, 08-Oct-01
www.vishay.com
1
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.195 @ V
GS
= –4.5 V
–0.84
–20
0.260 @ V
GS
= –2.5 V
–0.73
0.350 @ V
GS
= –1.8 V
–0.64
SC-89 (6-LEADS)
6
4
1
2
3
5
Top View
D
D
G
D
D
S
Marking Code
N
WL
Lot Traceability
and Date Code
Pin 1
Identifier
Part Number Code
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
8
V
T
A
= 25 C
–0.84
–0.77
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
–0.68
–0.62
Pulsed Drain Current
I
DM
–4
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
–0.18
–0.14
T
A
= 25 C
0.21
0.17
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.13
0.10
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
500
600
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
600
720
C/W
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board with minimum copper.
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PDF描述
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SI1039X-T1 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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