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參數(shù)資料
| 型號： | SI1302DL |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 中文描述： | 雙N溝道30 V的（副）MOSFET的肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | SI1302DL |
Si1302DL
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71249
S-02367—Rev. C, 23-Oct-00
www.vishay.com
1
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
0.480 @ V
GS
= 10 V
0.64
30
0.700 @ V
GS
= 4.5 V
0.53
SOT-323
SC-70 (3-LEADS)
1
2
3
Top View
G
S
D
Marking Code
KA
XX
Lot Traceability
and Date Code
Part # Code
Y
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
30
Gate-Source Voltage
V
GS
20
V
T
A
= 25 C
0.64
0.60
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 70 C
I
D
0.51
0.48
Pulsed Drain Current
I
DM
1.5
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction)
a
I
S
0.26
0.23
T
A
= 25 C
0.31
0.28
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 70 C
P
D
0.20
0.18
W
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
t
5 sec
355
400
Maximum Junction-to-Ambient
a
Steady State
R
thJA
380
450
C/W
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Steady State
R
thJF
285
340
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1303DL | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1303EDL | P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
| SI1304DL | N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| Si1304DL-T1 | N-Channel 25-V (D-S) MOSFET |
| SI1305DL | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI1302DL_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1302DL_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI1302DL-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 0.64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1302DL-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 0.64A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1302DL-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
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