參數(shù)資料
型號(hào)： SI1029X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： 補(bǔ)充N和P溝道60 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
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代理商： SI1029X
Si1029X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71435
S-03518
—
Rev. A, 11-Apr-01
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 500 mA
I
D
= 200 mA
–
r
)
1.2
1.5
1
100
1000
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
10
T
J
=
–
55 C
V
GS
= 0 V
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.4
V
V
–
0.8
–
0.6
–
0.4
–
0.2
–
0.0
0.2
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
T
J
–
Junction Temperature ( C)
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PDF描述
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