參數(shù)資料
型號： SI1025X
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
中文描述： P通道60 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： SI1025X
Si1025X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71433
S-03518
—
Rev. A, 23-Apr-01
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
V
GS
–
Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
= 500 mA
I
D
= 200 mA
–
r
)
1.2
1.5
1
100
1000
0.00
0.3
0.6
0.9
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
Source-Drain Diode Forward Voltage
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
10
T
J
=
–
55 C
V
GS
= 0 V
Threshold Voltage Variance Over Temperature
0.5
V
V
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
T
J
–
Junction Temperature ( C)
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 500 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1029X Complementary N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1031R P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
Si1031X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
SI1032R N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI1032R-T1 N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
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