參數(shù)資料
型號： Si1013R
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強型MOSFET)
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的（工作電壓1.8伏的P溝道增強型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： SI1013R
Si1013R/X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71167
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
www.vishay.com
5
10
–
3
10
–
2
1
10
10
–
1
10
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4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關PDF資料
PDF描述
SI1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1016X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI1022R N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SI1013R-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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