參數(shù)資料
型號： Si1013R
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET(工作電壓1.8V的P溝道增強型MOSFET)
中文描述： P通道的1.8 V（GS）的MOSFET的（工作電壓1.8伏的P溝道增強型MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： SI1013R
Si1013R/X
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71167
S-02464
—
Rev. A, 25-Oct-00
–
0.3
–
0.2
–
0.1
–
0.0
0.1
0.2
0.3
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
D
= 0.25 mA
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
V
V
G
T
J
–
Temperature ( C)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
I
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
I
G
–
0
1
2
3
4
5
6
7
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
BV
GSS
vs. Temperature
T
J
–
Temperature ( C)
V
GS
= 4.5 V
B
G
–
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient (SC-75A)
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
=833 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI1013R P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1013X P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI1016X P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI1022R N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI1023X Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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參數(shù)描述
SI1013R 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SC-75A
SI1013R_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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SI1013R-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 0.35A 0.15W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI1013R-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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