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參數(shù)資料
| 型號： | SGM2016AP |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| 中文描述： | 砷化鎵N溝道雙柵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | SGM2016AP |
– 5 –
SGM2016AM/AP
Package Outline
Unit: mm
SGM2016AM
SGM2016AP
M-254
SONY CODE
EIAJ CODE
JEDEC CODE
M-254
PACKAGE MASS
0.01g
2.9 ± 0.2
1.9
( 0.95 )
( 0.95 )
1.1+ 0.2
0
2
1
+
1.8
( 0.85 )
( 0.95 )
0 to 0.1
0.10 + 0.1
0.6 + 0.1
0.4+ 0.1
1
2
3
4
1. Source
2. Gate1
3. Gate2
4. Drain
SONY CODE
EIAJ CODE
JEDEC CODE
M-255
PACKAGE MASS
0.01g
M-255
2.9 ± 0.2
1.9
( 0.95 )
( 0.95 )
1.1+ 0.2
0
2
1
+
1.8
( 0.85 )
( 0.95 )
0 to 0.1
0.10 + 0.1
0.6 + 0.1
0.4 + 0.1
1
2
3
4
1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGM2016 | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2016AM | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2016AN | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2016M | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2016P | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SGM2016M | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2016M-T7 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| SGM2016P | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| SGM2019-2.8YN5G/TR | 制造商:SG Micro 功能描述:Single Channel 300mA RF-Linear LDO Regulators |
| SGM2022 | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Dual, Low Dropout, 150mA RF - Linear Regulators |
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