型號(hào): | SGM2016AP |
廠商: | Sony Corporation |
英文描述: | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
中文描述: | 砷化鎵N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
文件頁(yè)數(shù): | 3/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 57K |
代理商: | SGM2016AP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
SGM2016 | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2016AM | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2016AN | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2016M | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2016P | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
SGM2016M | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2016M-T7 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
SGM2016P | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
SGM2019-2.8YN5G/TR | 制造商:SG Micro 功能描述:Single Channel 300mA RF-Linear LDO Regulators |
SGM2022 | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Dual, Low Dropout, 150mA RF - Linear Regulators |