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參數資料
| 型號： | SGM2016M |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
| 中文描述： | 砷化鎵N溝道雙柵場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | SGM2016M |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGM2016P | GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
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| SGM3005XD | Ultra Low ON-Resistance, Low Voltage, Dual, SPDT Analog Switch |
| SGM3005XMS | Ultra Low ON-Resistance, Low Voltage, Dual, SPDT Analog Switch |
| SGM3005XTR | Ultra Low ON-Resistance, Low Voltage, Dual, SPDT Analog Switch |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| SGM2016P | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:GaAs N-channel Dual-Gate MES FET |
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| SGM2022-AYN6/TR | 制造商:SGMICRO 制造商全稱:SGMICRO 功能描述:Dual, Low Dropout, 150mA RF - Linear Regulators |
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