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參數(shù)資料
| 型號： | S71WS512N80BFEZZ3 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 11/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BFEZZ3 |
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June 28, 2004 S71WS512NE0BFWZZ_00_A1
11
A d v a n c e I n f o r m a t i o n
The order number (Valid Combination) is formed by the following:
Valid Combinations
Valid Combinations list configurations planned to be supported in volume for this device.
Consult the local sales office to confirm availability of specific valid combinations and to
check on newly released combinations.
S
71
W S
512
N
E
0
B
F W
ZZ
0
PACKING TYPE
0
= Tray
2
= 7” Tape & Reel
3
= 13” Tape & Reel
Additional ordering options
See Product Selector Guide
TEMPERATURE (and RELIABILITY) GRADE
E
= Engineering Samples
W
I
PACKAGE MATERIAL SET (BGA Package Type)
A
= Standard (Pb-free compliant) Package
F
= Lead (Pb)-free Package
PACKAGE TYPE
B
= BGA Package
= Wireless (-25
°
C to +85
°
C)
= Industrial (-40
°
C to +85
°
C)
CHIP CONTENTS—2
0
= No second content
CHIP CONTENTS—1
8
= 8 Mb
A
= 16 Mb
B
= 32 Mb
C
= 64 Mb
E
= 256 Mb (two 128Mb)
Spansion FLASH MEMORY PROCESS TECHNOLOGY
(Highest-density Flash described in Characters 4-8)
N
= 110 nm MirrorBit
TM
Technology
BASE NOR FLASH DENSITY
512
= two S29WS256N
BASE NOR FLASH CORE VOLTAGE
S
= 1.8-volt V
CC
BASE NOR FLASH INTERFACE and SIMULTANEOUS READ/
WRITE
W
= Simultaneous Read/Write, Burst
PRODUCT FAMILY
71
= Flash Base + xRAM.
PREFIX
S
= Spansion
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