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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71WS512N80BAWZZ2 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| 中文描述： | 堆疊式多芯片產(chǎn)品（MCP）的閃存和移動(dòng)存儲(chǔ)芯片的CMOS 1.8伏特 |
| 文件頁數(shù)： | 128/142頁 |
| 文件大?。?/td> | 1996K |
| 代理商： | S71WS512N80BAWZZ2 |
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128
128Mb pSRAM
S71WS512NE0BFWZZ_00_A1 June 28, 2004
P r e l i m i n a r y
TIMING DIAGRAMS (Continued)
Synchronous Read Timing #2 (CE#1 Control)
Note:
This timing diagram assumes CE2=H, the valid clock edge on rising edge and BL=8 or 16.
ADDRESS
ADV#
DQ
WE#
OE#
LB#, UB#
CLK
Valid
CE#1
t
ASVL
t
AHV
t
VPL
t
CLCK
t
ASCL
WAIT#
Q
1
t
AC
t
CKQX
t
AC
t
CKTV
RL=5
t
VSC
t
AC
t
RCB
Valid
t
VSCK
t
CLCK
t
CP
t
VPL
t
VHVL
t
CLTL
High
t
CLZ
t
CKCLH
t
ASCL
t
AHV
Q
BL
t
CHTZ
t
CLZ
t
CKQX
t
CHZ
t
CLTL
t
CKBH
t
ASVL
t
CKTX
t
CKVH
t
CKVH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71WS512N80BAWZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ2 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ3 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFIZZ0 | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| S71WS512N80BFEZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFEZZ3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
| S71WS512N80BFIZZ0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and pSRAM CMOS 1.8 Volt |
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