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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S71PL032J80BAW074 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| 封裝： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/188頁(yè) |
| 文件大小： | 5078K |
| 代理商： | S71PL032J80BAW074 |
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May 3, 2004 pSRAM_Type02_15A0
Type 2 pSRAM
105
Prelimin ary
1. 16Mb: A2 ~ A19, 32Mb: A2 ~ A20, 64Mb: A2 ~ A21.
tHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to
output voltage levels.
At any given temperature and voltage condition, tHZ(Max.) is less than tLZ(Min.) both for a given device and from device
to device interconnection.
tOE(max) is met only when OE# becomes enabled after tAA(max).
If invalid address signals shorter than min. tRC are continuously repeated for over 4s, the device needs a normal read
timing (tRC) or needs to sustain standby state for min. tRC at least once in every 4s.
Write Timings
Figure 29. Write Cycle #1 (WE# Controlled)
Figure 30. Write Cycle #2 (CS1# Controlled)
Address
CS1#
Data Undefined
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
tWC
tCW
tWR
tAW
tBW
tWP
tAS
tDH
tDW
tWHZ
tOW
High-Z
Data Valid
CS2
Address
Data Valid
UB#, LB#
WE#
Data in
Data out
High-Z
tWC
tCW
tAW
tBW
tWP
tDH
tDW
tWR
tAS
CS1#
CS2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S71PL032JA0BAW074 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S71PL032JA0BFW0F4 | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56 |
| S29JL032H60TAI023 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48 |
| S29AL016D70BAI022 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48 |
| S29AL016D70TAN013 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S71PL032J80BAW0Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW0Z3 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z0 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
| S71PL032J80BAW9Z2 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs |
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