參數(shù)資料
型號: S71PL032J80BAW074
廠商: SPANSION LLC
元件分類: 存儲器
英文描述: SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
封裝: 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-56
文件頁數(shù): 10/188頁
文件大?。?/td> 5078K
代理商: S71PL032J80BAW074
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁
February 25, 2004 pSRAM_EtronTech_06A2
107
Prelimin ary
pSRAM Type 3
16 Megabit (1M x 16) CMOS Pseudo SRAM
Features
Organized as 1M words by 16 bits
Fast Cycle Time: 70 ns
Standby Current: 100 A
Deep power-down Current: 10 A (Memory cell data invalid)
Byte data control: LB# (DQ0 - 7), UB# (DQ8 - 15)
Compatible with low-power SRAM
Single Power Supply Voltage: 3.0V±0.3V
Description
pSRAM Type 3 currently includes only a 16M bit device, organized as 1M words
by 16 bits. It is designed with advanced CMOS technology specified RAM featur-
ing low-power static RAM-compatible function and pin configuration. This device
operates from a single power supply. Advanced circuit technology provides both
high speed and low power. It is automatically placed in low-power mode when
CS1# or both UB# and LB# are asserted high or CS2 is asserted low. There are
three control inputs. CS1# and CS2 are used to select the device, and output en-
able (OE#) provides fast memory access. Data byte control pins (LB#,UB#)
provide lower and upper byte access. This device is well suited to various micro-
processor system applications where high speed, low power and battery backup
are required.
Pin Description
A0 – A19
=
Address Inputs
DQ0 – DQ15
=
Data Inputs/Outputs
CE1#
=
Chip Enable
CE2
=
Deep Power Down
OE#
=
Output Enable
WE#
=
Write Control
LB#
=
Lower Byte Control
UB#
=
Upper Byte Control
VCC
=
Power Supply
VSS
=
Ground
相關PDF資料
PDF描述
S71PL032JA0BAW074 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S71PL032JA0BFW0F4 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S29JL032H60TAI023 2M X 16 FLASH 3V PROM, 60 ns, PDSO48
S29AL016D70BAI022 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA48
S29AL016D70TAN013 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
S71PL032J80BAW0Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BAW0Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BAW0Z3 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BAW9Z0 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs
S71PL032J80BAW9Z2 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Based MCPs