| 型號: | S29GL128P11TFI022 | 
| 廠商: | Spansion Inc. | 
| 英文描述: | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| 中文描述: | 3.0伏只頁面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術 | 
| 文件頁數(shù): | 70/71頁 | 
| 文件大小: | 990K | 
| 代理商: | S29GL128P11TFI022 | 

| 相關PDF資料 | PDF描述 | 
|---|---|
| S29GL128P12TAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| S29GL128P12TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| S29GL128P12TAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| S29GL128P12TAI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| S29GL128P12TAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology | 
| 相關代理商/技術參數(shù) | 參數(shù)描述 | 
|---|---|
| S29GL128P11TFI023 | 功能描述:閃存 128M, 3V, 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel | 
| S29GL128P11TFIV10 | 功能描述:閃存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel | 
| S29GL128P11TFIV13 | 功能描述:閃存 128M 3.0V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel | 
| S29GL128P11TFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV20 IC 128M PAGE-MODE | 
| S29GL128P11TFIV23 | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV23 IC 128M PAGE-MODE |