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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128P11TFI022 |
| 廠商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| 中文描述： | 3.0伏只頁面模式閃存具有90納米MirrorBit工藝技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 50/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 990K |
| 代理商： | S29GL128P11TFI022 |
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48
S29GL-P MirrorBit
TM
Flash Family
S29GL-P_00_A3 November21,2006
D a t a
S h e e t
( A d v a n c e
I n f o r m a t i o n )
Figure 11.2
Maximum Positive Overshoot Waveform
11.2
Operating Ranges
Notes
1. Operating ranges define those limits between which the functionality of the device is guaranteed.
2. See also
Ordering Information on page 5
.
3. For valid V
CC
/V
IO
range combinations, see
Ordering Information on page 5
. The I/Os do not operate at 3 V when V
IO
= 1.8 V.
11.3
Test Conditions
Figure 11.3
Test Setup
Note
Diodes are IN3064 or equivalent.
20 n
s
20 n
s
20 n
s
V
CC
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
+2.0 V
Specifications
Range
Ambient Temperature (TA), Industrial (I) Device
–40°C to +85°C
Supply Voltages
V
CC
+2.7 V to 3.6 V or
+3.0 V to 3.6 V
V
IO
Supply Voltages
V
IO
+1.65 V to V
CC
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128P12TAI010 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P12TAI012 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P12TAI013 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P12TAI020 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
| S29GL128P12TAI022 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128P11TFI023 | 功能描述:閃存 128M, 3V, 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV10 | 功能描述:閃存 128MB 2.7-3.6V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV13 | 功能描述:閃存 128M 3.0V 110ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| S29GL128P11TFIV20 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 16MX8/8MX16 110NS 56TSOP - Trays 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV20 IC 128M PAGE-MODE |
| S29GL128P11TFIV23 | 制造商:Spansion 功能描述:SPZS29GL128P11TFIV23 IC 128M PAGE-MODE |
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