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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N11FAIV13 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 83/100頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV13 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
81
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Notes:
1. Not 100% tested.
2. CE#, OE# = V
IL
3. OE# = V
IL
4. See
Figure 9, on page 75
and
Table 17 on page 75
for test specifications.
Figure 15. Accelerated Program Timing Diagram
OE#
WE#
CE#
V
CC
Data
Addresses
t
DS
t
AH
t
DH
t
WP
PD
t
WHWH1
t
WC
t
AS
t
WPH
t
VCS
555h
PA
PA
Read Status Data (last two cycles)
A0h
t
CS
Status
D
OUT
Program Command Sequence (last two cycles)
RY/BY#
t
RB
t
BUSY
t
CH
PA
Notes:
1. PA = program address, PD = program data, D
OUT
is the true data at the program address.
2. Illustration shows device in word mode.
Figure 14. Program Operation Timings
ACC
t
VHH
V
HH
V
IL
or V
IH
V
IL
or V
IH
t
VHH
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PDF描述 |
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