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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N11FAIV13 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 77/100頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV13 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
75
D a t a S h e e t
Test Conditions
Note:
Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 9. Test Setup
Table 17. Test Specifications
Note:
If V
IO
< V
CC
, the reference level is 0.5 V
IO
.
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, C
L
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–V
IO
V
Input timing measurement reference levels (See
Note)
0.5V
IO
V
Output timing measurement reference levels
0.5 V
IO
V
2.7 k
Ω
C
L
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
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