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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S29GL128N11FAIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 85/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV10 |
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S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
S29GL-N MirrorBit Flash Family
83
D a t a S h e e t
AC Characteristics
Figure 17. Data# Polling Timings
(During Embedded Algorithms)
WE#
CE#
OE#
High Z
t
OE
High Z
DQ7
DQ6–DQ0
RY/BY#
t
BUSY
Complement
True
Addresses
VA
t
OEH
t
CE
t
CH
t
OH
t
DF
VA
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
Valid Data
t
ACC
t
RC
Note:
1.
2.
VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
t
OE
for data polling is 45 ns when V
IO
= 1.65 to 2.7 V and is 35 ns when V
IO
= 2.7 to 3.6 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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| S29GL128N11FAIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
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參數(shù)描述 |
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