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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N11FAIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 78/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV10 |
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76
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Key to Switching Waveforms
Waveform
Inputs
Outputs
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
IO
0.0 V
0.5 V
IO
0.5 V
IO
V
Output
Measurement Level
Input
Note:
If V
IO
< V
CC
, the input measurement reference level is 0.5 V
IO
.
Figure 10. Input Waveforms and
Measurement Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FFA010 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFA013 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FFIIH0 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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