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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL128N11FAIV10 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 110 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 8/100頁 |
| 文件大?。?/td> | 952K |
| 代理商： | S29GL128N11FAIV10 |
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6
S29GL-N MirrorBit Flash Family
S29GL-N_00_B3 October 13, 2006
D a t a S h e e t
Product Selector Guide
S29GL512N
S29GL256N, S29GL128N
Part Number
S29GL512N
Speed Option
V
CC
= 2.7–3.6 V
V
IO
= 2.7–3.6 V
10
11
V
IO
= 1.65–3.6 V
11
Max. Access Time (ns)
100
110
110
Max. CE# Access Time (ns)
100
110
110
Max. Page access time (ns)
25
25
30
Max. OE# Access Time (ns)
25
35
35
Part Number
S29GL256N, S29GL128N
Speed Option
V
CC
= 2.7–3.6 V
V
IO
= 2.7–3.6 V
10
11
V
IO
= 1.65–1.95 V
11
V
CC
= Regulated (3.0–3.6 V)
V
IO
= Regulated (3.0–3.6
V)
90
Max. Access Time (ns)
90
100
110
110
Max. CE# Access Time (ns)
90
100
110
110
Max. Page access time (ns)
25
25
25
30
Max. OE# Access Time (ns)
25
25
35
35
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FAIV12 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV13 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV20 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV22 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
| S29GL128N11FAIV23 | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL128N11FFA010 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFA013 | 制造商:Spansion 功能描述: |
| S29GL128N11FFI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述: 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL128N11FFIIH0 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8bit/16bit 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
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