型號(hào): | RN1110F |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
中文描述: | 開關(guān),逆變電路,接口電路及驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 159K |
代理商: | RN1110F |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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RN1111F | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
RN1112FT | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
RN1113FT | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
RN1114 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
RN1115 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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RN1110FS(TPL3) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50mA 20volts 3Pin 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1110MFV | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1110MFV(TL3,T) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1110MFV(TPL3) | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1111 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |