參數(shù)資料
型號(hào)： RN1114
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
中文描述： 開關(guān)，逆變電路，接口電路及驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 261K
代理商： RN1114
RN1114~RN1118
2001-06-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Complementary to RN2114~2118
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Maximum Ratings
(Ta = 25 C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
50
V
Collector-emitter voltage
RN1114~1118
V
CEO
50
V
RN1114
5
RN1115
6
RN1116
7
RN1117
15
Emitter-base voltage
RN1118
V
EBO
25
V
Collector current
I
c
100
mA
Collector power dissipation
P
c
100
mW
Junction temperature
T
j
150
C
Storage temperature range
RN1114~1118
T
stg
55~150
C
JEDEC
EIAJ
TOSHIBA
Weight: 2.4mg
―
―
2-2H1A
Type No.
R
1
(k
)
R
2
(k
)
RN1114
1
10
RN1115
2.2
10
RN1116
4.7
10
RN1117
10
4.7
RN1118
47
10
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN1115 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1116 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1117 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1201 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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參數(shù)描述
RN1114_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
RN1114MFV 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 INCORRECT MOUSER P/N 1.0Kohms x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1114MFV(TPL3) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50volts 100mA 3Pin 1.0Kohms x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
RN1115 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1115MFV(TPL3) 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 2.2Kohms x 10Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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