型號: | RN1112FT |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
中文描述: | 東芝npn型晶體管硅外延型(厘進程)(偏置電阻內置晶體管) |
文件頁數(shù): | 1/3頁 |
文件大?。?/td> | 113K |
代理商: | RN1112FT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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RN1113FT | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
RN1114 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
RN1115 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
RN1116 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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RN1112MFV | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1112MFV(TPL3) | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50volts 3Pin 22Kohms RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
RN1113 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
RN1113(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN SSM |
RN1113(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor, digital, NPN, RN1113(F) |