參數(shù)資料
型號: Q67060-S6504-A5
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: HITFET II.Generation BTS 134 D
中文描述: HITFET II.Generation基站134?
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大?。?/td> 359K
代理商: Q67060-S6504-A5
2004-03-05
Page 6
BTS 134 D
1 Maximum allowable power dissipation
P
tot
= f(T
C
) resp.
P
tot
= f(T
A
) @ R
thJA
=55 K/W
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
A
;
T
C
0
0.5
1
1.5
2
W
3
P
t
SMD @ 6cm2
Rthjc = 1.5 K/W
2 On-state resistance
R
ON
=f(T
j
);
I
D
=3A;
V
IN
=10V
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
T
j
175
0
10
20
30
40
50
60
70
80
m
100
R
D
typ.
max.
3 On-state resistance
R
ON
=f(T
j
);
I
D
=3A;
V
IN
=5V
-50
-25
0
25
50
75
100 125
°C
T
j
175
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
m
110
R
D
typ.
max.
4 Typ. input threshold voltage
V
IN(th)
= f(T
j
)
;
I
D
= 0.7 mA; V
DS
= 12V
-50
-25
0
25
50
75
100
°C
150
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
2
V
G
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