- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄365374 > PZT2907AT1 (ON SEMICONDUCTOR) PNP Silicon Epitaxial Transistor(PNP型外延晶體管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PZT2907AT1 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Silicon Epitaxial Transistor(PNP型外延晶體管) |
| 中文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-261AA |
| 封裝： | CASE 318E-04, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | PZT2907AT1 |
PZT2907AT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. Delay and Rise
Time Test Circuit
Figure 2. Storage and Fall
Time Test Circuit
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 Hz
RISE TIME
≤
2.0 ns
0
1.0 k
50
16 V
200 ns
30 V
200
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
0
1.0 k
50
30 V
200 ns
6.0 V
37
TO OSCILLOSCOPE
RISE TIME
≤
5.0 ns
+15 V
1.0 k
1N916
INPUT
Z
o
= 50
PRF = 150 Hz
RISE TIME
≤
2.0 ns
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1000
100
10
1.0
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
h
T
J
= 125
°
C
T
J
= 55
°
C
T
J
= 25
°
C
Figure 3. DC Current Gain
1000
100
10
1000
100
10
1.0
V
CE
= 20 V
T
J
= 25
°
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Current Gain Bandwidth Product
f
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1 0.2
V
500
200
100
50
20
10
0.5 1.0 2.0
5.0
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 5. “ON” Voltage
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(on)
@ V
CE
= 10 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.00.1
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitances
C
C
eb
C
cb
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PZT2907A | PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| PZT2907A | SOT-223 PACKAGE PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| PZT2907AT1 | SOT-223 PACKAGE PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT |
| PZT2907A | PNP General Purpose Amplifier |
| PZT3904T1 | General Purpose Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PZT2907AT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor |
| PZT2907AT1_11 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:PNP Silicon Epitaxial Transistor |
| PZT2907AT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PZT2907AT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| PZT2907AT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。