參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10112
廠商： ERICSSON
英文描述： 60 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 60瓦，1.8-2.0 GHz的GOLDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 324K
代理商： PTF10112
e
1
PTF 10112
60 Watts, 1.8–2.0 GHz
GOLDMOS
Field Effect Transistor
Package 20248
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
6
Input Power (Watts)
O
V
CC
= 28 V
I
DQ
= 580 mA
f = 2000 MHz
Typical Output Power vs. Input Power
Description
The PTF 10112 is an internally matched common source N-channel
enhancement-mode lateral MOSFET intended for CDMA and TDMA
applications from 1.8 to 2.0 GHz. It is rated at 60 watts power output.
Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent
device lifetime and reliability.
INTERNALLY MATCHED
Guaranteed Performance at 1.93, 1.99 GHz,
28 V
- Output Power = 60 Watts Min
- Power Gain = 12 dB Typ
Full Gold Metallization
Silicon Nitride Passivated
Back Side Common Source
Excellent Thermal Stability
100% Lot Traceability
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 15 W, I
DQ
= 580 mA, f = 1.93, 1.99 GHz)
Power Output at 1 dB Compression
(V
DD
= 28 V, I
DQ
= 580 mA, f = 1.99 GHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 60 W, I
DQ
= 580 mA, f = 1.99 GHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, P
OUT
= 60 W, I
DQ
= 580 mA, f = 1.99 GHz
—all phase angles at frequency of test)
G
ps
11
12
—
dB
P-1dB
60
—
—
Watts
h
D
—
41
—
%
Y
—
—
10:1
—
All published data at T
CASE
= 25°C unless otherwise indicated.
A-1234569837
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10119 12 Watts, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10120 120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10122 50 Watts WCDMA, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10125 135 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10133 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PTF10119 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類(lèi)型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類(lèi)型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10120 制造商:ERICSSON 制造商全稱(chēng):Ericsson 功能描述:120 Watts, 1.8-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10122 制造商:ERICSSON 制造商全稱(chēng):Ericsson 功能描述:50 Watts WCDMA, 2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10125 制造商:ERICSSON 制造商全稱(chēng):Ericsson 功能描述:135 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10133 制造商:ERICSSON 制造商全稱(chēng):Ericsson 功能描述:85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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