參數(shù)資料
型號(hào)： PTF10020
廠商： ERICSSON
英文描述： 125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
中文描述： 125瓦，860-960兆赫GOLDMOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 313K
代理商： PTF10020
PTF 10020
5
e
Typical Scattering Parameters
(one side only)
(V
DS
= 28 V, I
D
= 4 A)
f
(MHz)
800
810
820
830
840
850
860
870
880
890
900
910
920
930
940
950
960
970
980
990
1000
S11
S21
S12
S22
Mag
0.974
0.974
0.974
0.974
0.972
0.972
0.971
0.969
0.968
0.966
0.964
0.963
0.961
0.958
0.956
0.953
0.95
0.946
0.942
0.937
0.933
Ang
176
175.9
175.7
175.6
175.4
175.4
175.2
175
174.9
174.8
174.7
174.6
174.3
174.2
174.1
174
173.8
173.8
173.7
173.6
173.6
Mag
0.657
0.66
0.662
0.666
0.669
0.672
0.674
0.679
0.686
0.695
0.705
0.716
0.729
0.743
0.757
0.774
0.791
0.807
0.821
0.838
0.853
Ang
-10.6
-11.5
-12.7
-13.6
-14.8
-16
-16.9
-18
-19.1
-20.2
-21.4
-23
-24.6
-26.3
-28.2
-30.3
-32.7
-35.4
-38.1
-41
-44
Mag
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
0.002
Ang
50.9
49
52.9
53.4
52.6
54.9
56.1
52.5
53.4
56.2
58.1
55.5
57.7
57
56.7
58.7
60.2
60
59.5
62
62.2
Mag
0.97
0.971
0.971
0.972
0.972
0.972
0.972
0.972
0.973
0.975
0.977
0.977
0.976
0.977
0.978
0.979
0.979
0.981
0.982
0.983
0.983
Ang
-172
-172.1
-172.3
-172.4
-172.5
-172.7
-172.8
-172.8
-173
-173.1
-173.2
-173.4
-173.6
-173.6
-173.8
-174
-173.9
-174.1
-174.2
-174.3
-174.4
Test Circuit
l
1,
l
20
l
2,
l
19
l
3,
l
18
l
4,
l
17
l
5,
l
6
l
7,
l
10
l
8,
l
9
l
11,
l
12
l
13,
l
14
l
15,
l
16
Circuit Board
50
W
, .030
l
20
W
, .080
l
32
W
, .191
l
25
W
, .500
l
25
W
, .091
l
7
W
, .056
l
13.0
W
, .017
l
13.0
W
, .017
l
7.0
W
, .093
l
10.2
W
, .030
l
.028" Dielectric Thickness,
e
r
= 4.0,
AlliedSignal, G200, 2 oz. copper
Schematic for f = 960 MHz
DUT
C1-2
C3
C4
C5
C6-7, C10, C13-14, C18
C8, C11
C9, C12, C15, C19
C16, C17, C20, C21
L1. L2
R1, R2, R4, R5
R3, R6
PTF 10020
15 pF, Capacitor ATC 100 B
0.35–3.5 pF, Variable Capacitor
7.5 pF, Capacitor ATC 100 A
1–9 pF, Variable Capacitor
33 pF, Capacitor ATC 100 B
10
m
F, +10 V Electrolytic Capacitor
0.01
m
F, Capacitor ATC 100 B
10
m
F, +30 V Electrolytic Capacitor
4 Turn, #20 AWG, .120” I.D.
1.0 K,
W
Resistor
5.1 K, 1/4
W
Resistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PTF10021 30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10031 50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10036 85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10043 12 Watts, 1.9-2.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10045 30 Watts, 1.60-1.65 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
PTF10021 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10031 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10036 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:85 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor
PTF10041 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
PTF10043 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點(diǎn):37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測(cè)試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel
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