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參數(shù)資料
| 型號： | PTF10009 |
| 廠商： | ERICSSON |
| 英文描述： | 85 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS⑩ Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 85瓦，1.0 GHz的GOLDMOS⑩場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 228K |
| 代理商： | PTF10009 |
2
PTF 10009
e
Frequency
MHz
860
900
960
1000
Z Source
W
Z Load
W
R
jX
R
jX
1.76
1.80
1.58
1.39
-0.78
-0.05
0.69
1.35
5.00
4.80
4.24
3.95
-1.50
-0.78
0.36
1.41
Electrical Characteristics
(100% Tested—characteristics, conditions and limits shown per side)
Characteristic
(per side)
Conditions
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Breakdown Voltage V
GS
= 0 V, I
D
= 25 mA
V
(BR)DSS
65
—
—
Volts
Drain-Source Leakage Current
V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
—
—
1.0
mA
Gate Threshold Voltage
V
DS
= 10 V, I
D
= 75 mA
V
GS(th)
3.0
—
5.0
Volts
Forward Transconductance
V
DS
= 10 V, I
D
= 3 A
g
fs
—
2.8
—
Siemens
Dynamic Characteristics
Characteristic
(per side)
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Input Capacitance
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Output Capacitance
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz)
C
iss
—
90
—
pF
C
oss
—
36
—
pF
C
rss
—
1.9
—
pF
RF Specifications
(100% Tested)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Gain
(V
DD
= 28 V, Pout = 85 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz)
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 V, Pout = 85 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz)
Load Mismatch Tolerance
(V
DD
= 28 V, Pout = 85 W, I
DQ
= 600 mA, f = 960 MHz—
all phase angles at frequency of test)
G
ps
12.0
13.0
—
dB
h
47
50
—
%
Y
—
—
5:1
—
Impedance Data
(data shown for fixed-tuned broadband circuit)
(V
DD
= 28 V, Pout = 85 W, I
DQ
= 600 mA)
Z Source
Z Load
G
G
D
S
D
Z
0
= 50
W
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PTF10015 | 50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10019 | 70 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10020 | 125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10021 | 30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10031 | 50 Watts, 1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PTF10009SP | 功能描述:射頻放大器 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel |
| PTF10015 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:50 Watts, 300-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10019 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| PTF10020 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| PTF10021 | 制造商:ERICSSON 制造商全稱:Ericsson 功能描述:30 Watts, 1.4-1.6 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
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