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參數(shù)資料
| 型號： | PTF080901F |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 869-960 MHz |
| 中文描述： | LDMOS射頻功率場效應(yīng)晶體管90瓦，869-960兆赫 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 205K |
| 代理商： | PTF080901F |
Data Sheet
6
2004-04-05
PTF080901
Test Circuit
Test Circuit Schematic for 960 MHz
Circuit Assembly Information
DUT
PCB
PTF080901
0.76 mm. [.030”] thick,
ε
r
= 4.5
LDMOS Transistor
2 oz. copper
Rogers TMM4
Microstrip
l
1
l
2
l
3
l
4
l
5
l
6
l
7,
l
8
l
9
l
10
l
11
Electrical Characteristics at 960 MHz
0.075
λ
, 50
0.101
λ
, 50
0.053
λ
, 50
0.289
λ
, 73.66
0.061
λ
, 7.48
0.097
λ
, 7.93
0.132
λ
, 52.47
0.105
λ
, 7.93
0.134
λ
, 38.02
0.029
λ
, 50
Dimensions: L x W (mm.)
12.83 x 1.35
17.27 x 1.35
9.14 x 1.35
50.80 x 0.75
9.27 x 16.26
14.73 x 15.24
22.61 x 1.27
16.13 x 15.24
22.35 x 2.16
4.95 x 1.37
Dimensions: L x W (in.)
0.505 x 0.053
0.680 x 0.053
0.360 x 0.053
2.000 x 0.030
0.365 x 0.640
0.580 x 0.600
0.890 x 0.050
0.635 x 0.600
0.880 x 0.085
0.195 x 0.053
QQ1
LM7805
1μF
C8
C16
33pF
C17
1μF
RF_IN
1.4pF
DUT
2.2pF
33pF
C7
L2
C18
10μF
C19
50V
C20
10μF
L1
C15
C14
35V
50V
C10
RF_OUT
080901_sch
5.1 k
R2
33 pF
C3
10 μF, 35 V
+
C1
0.001 μF
l
1
l
2
l
3
l
5
l
8
l
6
l
7
l
9
l
10
l
4
l
11
V
DD
22 k
R6
10 k
R5
3.3 k
R7
1.2 k
R3
Q1
BCP56
33pF
C4
4.3pF
C5
C6
6.2pF
35V
C11
1.3 k
R4
0.001 μF
0.001 μF
0.1 μF
C2
10
R1
+
+
+
+
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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