參數(shù)資料
型號(hào)： PSMN063-150
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/12頁(yè)
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代理商： PSMN063-150
Philips Semiconductors
PSMN063-150D
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 31 October 2001
4 of 12
9397 750 08594
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to mounting
base
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
Figure 4
Value
1.0
Unit
K/W
R
th(j-a)
Vertical in still air
50
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
δ
=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
single pulse
10
1
10-1
10-2
10-3
Zth(j-mb)
(K/W)
1
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
tp (s)
003aaa149
tp
T
t
tp
T
δ
=
P
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PDF描述
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