參數(shù)資料
型號： PSMN005-55P
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel logic level TrenchMOS transistor(N溝道邏輯電平 TrenchMOS晶體管)
中文描述： 75 A, 55 V, 0.0067 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： PSMN005-55P
October 1999
7
Rev 1.200
Philips Semiconductors
Product specification
PSMN005-55B;
PSMN005-55P
N-channel logic level TrenchMOS
(TM)
transistor
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 75 A
Tj = 25 C
VDD = 11 V
VDD = 44 V
1
0.001
10
100
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VSDS/V
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
20
40
60
80
100
IF/A
Tj/C =
175
25
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PDF描述
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