參數(shù)資料
型號(hào)： PN918
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 7/7頁
文件大小： 148K
代理商： PN918
Test Circuit
1000 pF
1000 pF
(NOTE 2)
175 pF
50 pF
2.2 K
- V
CC
RFC
(NOTE 1)
RFC
FIGURE 1: 500 MHz Oscillator Circuit
500 mHz Output
into 50
V
CC
NOTE 1:
2 turns No. 16 AWG wire, 3/8 inch OD, 1 1/4 inch long
NOTE 2:
9 turns No. 22 AWG wire, 3/16 inch OD, 1/2 inch long
NPN RF Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN930 NPN General Purpose Amplifier
PNA1102L 光デバイス － 受光素子 － フォトトランジスタ
PNA1401 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.5
PNA1401L PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
PNA1401L(PN101) PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN918_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
PN918_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN918T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN930 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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