參數(shù)資料
型號(hào): PN918
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Small Signal Transistors
中文描述: Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù): 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商: PN918
AC Typical Characteristics
NPN RF Transistor
(continued)
Contours of Constant Noise Figure
Small Signal Current Gain
vs. Collector Current
Gain Bandwidth Product
vs Collector Current
P 43
1
10
20
50
100
200
0
20
40
60
80
100
120
140
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
f
T
Vce
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
ce
C
Cob
Cib
f = 1.0 MHz
Contours of Constant Gain
Bandwidth Product (f
T
)
POWER DISSIPATION vs
AMBIENT TEMPERATURE
0
25
50
TEMPERATURE ( C)
75
100
°
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
P
TO-92
SOT-23
D
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PDF描述
PN930 NPN General Purpose Amplifier
PNA1102L 光デバイス - 受光素子 - フォトトランジスタ
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PNA1401L PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
PNA1401L(PN101) PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
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參數(shù)描述
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PN918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN918T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN930 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2