參數(shù)資料
型號： PN918
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： PN918
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V
CEO(
sus
)
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
C
= 4.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
= 0, f = 1.0 MHz
V
CB
= 0, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
BE
= 0.5 V, I
C
= 0, f = 1.0 MHz
I
C
= 1.0 mA, V
CE
= 6.0 V,
R
G
= 400
, f = 60 MHz
600
MHz
C
obo
Output Capacitance
1.7
3.0
2.0
6.0
pF
pF
pF
dB
C
ibo
NF
Input Capacitance
Noise Figure
FUNCTIONAL TEST
G
pe
Amplifier Power Gain
V
= 12 V, I
C
= 6.0 mA,
f = 200 MHz
V
= 15 V, I
C
= 8.0 mA,
f = 500 MHz
V
= 15 V, I
C
= 8.0 mA,
f = 500 MHz
15
dB
P
O
Power Output
30
mW
η
Collector Efficiency
25
%
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
I
C
= 3.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 1.0
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
CB
= 15 V, T
A
= 150
°
C
15
30
3.0
V
V
V
μ
A
μ
A
0.01
1.0
I
C
= 3.0 mA, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
I
C
= 10 mA, I
B
= 1.0 mA
20
0.4
1.0
V
V
NPN RF Transistor
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN930 NPN General Purpose Amplifier
PNA1102L 光デバイス － 受光素子 － フォトトランジスタ
PNA1401 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.5
PNA1401L PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
PNA1401L(PN101) PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PN918_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor
PN918_D74Z 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
PN918_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN918T93 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PN930 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*