參數(shù)資料
型號(hào)： PN918
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Small Signal Transistors
中文描述： Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 1/7頁(yè)
文件大?。?/td> 148K
代理商： PN918
NPN RF Transistor
This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and
multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.
Sourced from Process 43.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
PN918
350
2.8
125
357
*MMBT918
225
1.8
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
°
C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
556
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
15
30
3.0
50
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
*
Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
MMBT918
C
B
E
SOT-23
Mark: 3B
PN918
CBE
TO-92
Discrete POWE R & Signal
Technologies
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PN930 NPN General Purpose Amplifier
PNA1102L 光デバイス － 受光素子 － フォトトランジスタ
PNA1401 PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.5
PNA1401L PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-5.8
PNA1401L(PN101) PNA1401L (PN101) - Silicon NPN Phototransistor
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參數(shù)描述
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