參數(shù)資料
型號： PIC18F1230
廠商： Microchip Technology Inc.
英文描述： 18/20/28-Pin, Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D
中文描述： 18/20/28-Pin，增強型閃存微控制器與納瓦技術(shù)，高性能PWM和A / D轉(zhuǎn)換
文件頁數(shù)： 50/312頁
文件大?。?/td> 2512K
代理商： PIC18F1230
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁當前第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁第273頁第274頁第275頁第276頁第277頁第278頁第279頁第280頁第281頁第282頁第283頁第284頁第285頁第286頁第287頁第288頁第289頁第290頁第291頁第292頁第293頁第294頁第295頁第296頁第297頁第298頁第299頁第300頁第301頁第302頁第303頁第304頁第305頁第306頁第307頁第308頁第309頁第310頁第311頁第312頁
PIC18F1230/1330
DS39758B-page 48
Advance Information
2006 Microchip Technology Inc.
5.1.2.4
Stack Full and Underflow Resets
Device Resets on stack overflow and stack underflow
conditions are enabled by setting the STVREN bit in
Configuration Register 4L. When STVREN is set, a full
or underflow will set the appropriate STKFUL or
STKUNF bit and then cause a device Reset. When
STVREN is cleared, a full or underflow condition will set
the appropriate STKFUL or STKUNF bit but not cause
a device Reset. The STKFUL or STKUNF bit is cleared
by the user software or a Power-on Reset.
5.1.3
FAST REGISTER STACK
A Fast Register Stack is provided for the STATUS,
WREG and BSR registers, to provide a “fast return”
option for interrupts. The stack for each register is only
one level deep and is neither readable nor writable. It is
loaded with the current value of the corresponding
register when the processor vectors for an interrupt. All
interrupt sources will push values into the Stack
registers. The values in the registers are then loaded
back
into
their
associated
RETFIE, FAST
instruction is used to return from the
interrupt.
registers
if
the
If both low and high priority interrupts are enabled, the
Stack registers cannot be used reliably to return from
low priority interrupts. If a high priority interrupt occurs
while servicing a low priority interrupt, the Stack regis-
ter values stored by the low priority interrupt will be
overwritten. In these cases, users must save the key
registers in software during a low priority interrupt.
If interrupt priority is not used, all interrupts may use the
Fast Register Stack for returns from interrupt. If no
interrupts are used, the Fast Register Stack can be
used to restore the STATUS, WREG and BSR registers
at the end of a subroutine call. To use the Fast Register
Stack for a subroutine call, a
CALL
label
,
FAST
instruction must be executed to save the STATUS,
WREG and BSR registers to the Fast Register Stack. A
RETURN, FAST
instruction is then executed to restore
these registers from the Fast Register Stack.
Example 5-1 shows a source code example that uses
the Fast Register Stack during a subroutine call and
return.
EXAMPLE 5-1:
FAST REGISTER STACK
CODE EXAMPLE
5.1.4
LOOK-UP TABLES IN PROGRAM
MEMORY
There may be programming situations that require the
creation of data structures, or look-up tables, in
program memory. For PIC18 devices, look-up tables
can be implemented in two ways:
Computed
GOTO
Table Reads
5.1.4.1
Computed
GOTO
A computed
GOTO
is accomplished by adding an offset
to the program counter. An example is shown in
Example 5-2.
A look-up table can be formed with an
ADDWF PCL
instruction and a group of
RETLW nn
instructions. The
W register is loaded with an offset into the table before
executing a call to that table. The first instruction of the
called routine is the
ADDWF PCL
instruction. The next
instruction executed will be one of the
RETLW
nn
instructions that returns the value ‘
nn
’ to the calling
function.
The offset value (in WREG) specifies the number of
bytes that the program counter should advance and
should be multiples of 2 (LSb =
0
).
In this method, only one data byte may be stored in
each instruction location and room on the return
address stack is required.
EXAMPLE 5-2:
COMPUTED
GOTO
USING
AN OFFSET VALUE
5.1.4.2
Table Reads and Table Writes
A better method of storing data in program memory
allows two bytes of data to be stored in each instruction
location.
Look-up table data may be stored two bytes per
program word by using table reads and writes. The
Table Pointer (TBLPTR) register specifies the byte
address and the Table Latch (TABLAT) register
contains the data that is read from or written to program
memory. Data is transferred to or from program
memory one byte at a time.
Table read and table write operations are discussed
further in
Section 6.1 “Table Reads and Table
Writes”
.
CALL SUB1, FAST
;STATUS, WREG, BSR
;SAVED IN FAST REGISTER
;STACK
SUB1
RETURN, FAST
;RESTORE VALUES SAVED
;IN FAST REGISTER STACK
MOVF
CALL
nn00h
ADDWF
RETLW
RETLW
RETLW
.
.
.
OFFSET, W
TABLE
ORG
TABLE
PCL
nnh
nnh
nnh
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PIC18F2221 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology
2N6427 NPN Darlington transistor
2N6427 Small Signal Transistors
2N6427 NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
2N6427 Mini size of Discrete semiconductor elements
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PIC18F1230-E/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB Flash 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18F1230-E/P 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB Flash 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18F1230-E/SO 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB Flash 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18F1230-E/SS 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB Flash 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
PIC18F1230-I/ML 功能描述:8位微控制器 -MCU 4KB Flash 256 RAM RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*