參數(shù)資料
型號(hào)： PHT8N06
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大小： 72K
代理商： PHT8N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT8N06T
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.20. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
December 1997
9
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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PHT8N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223
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