參數(shù)資料
型號(hào)： PHT8N06
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOS transistor Standard level FET
中文描述： TrenchMOS晶體管標(biāo)準(zhǔn)電平場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大?。?/td> 72K
代理商： PHT8N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT8N06T
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
sp
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
sp
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-sp
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1.0E-06
0.0001
0.01
1
100
0.01
0.1
1
10
100Zth/ (K/W)
t/s
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
ID/A
VDS/V
16
12
10
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS/V
RDS(ON) = VDS/ID
DC
ID/A
tp =
1 us
10us
100 us
1 ms
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
60
70
80
90
100
110
120
130RDS(ON)/mOhm
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
December 1997
4
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHU11NQ10T TrenchMOS⑩ standard level FET
PHV612 1.2A, High Efficiency Step-Down DC/DC Converter; Package: SO; No of Pins: 14; Temperature Range: -40°C to +85°C
PHV616 High Voltage Rectifier
PHV620 Synchronous Regulator Controller for N- or P-Channel MOSFETs
PHV624 High Voltage Rectifier
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參數(shù)描述
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PHT8N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223
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