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參數(shù)資料
| 型號： | PHN103S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 6A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 25V的五（巴西）直| 6A條（?。﹟蘇 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | PHN103S |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
TM
transistor & schottky diode
PHN103S
Fig.5. Transient thermal impedance; Schottky Diode.
Z
th j-a
= f(t)
Fig.6. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.7. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.8. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.9. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.10. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
SCHOTTKY
0.01
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
pulse width, tp (s)
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
Transient Thermal Impedance, Zth j-a (K/W)
Single pulse
tp
P
t
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Gate-source voltage, VGS (V)
Drain current, ID (A)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Drain Current, ID (A)
2.4 V
2.6 V
2.8 V
3 V
Tj = 25 C
VGS = 3.4 V
3.2 V
4.5 V
10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
Drain current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
VDS > ID X RDS(ON)
Tj = 25 C
150 C
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.4
0.45
0.5
0
1
2
3
4
5
Drain Current, ID (A)
Drain-Source On Resistance, RDS(on) (Ohms)
VGS = 3.4 V
2.8V
3.2V
4.5V
10V
Tj = 25 C
3V
-50
0
50
100
150
0
0.5
1
1.5
2
SOT223 30V Trench
Tj / C
a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
September 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN103T | 10-Bit, 500ksps ADCs in MSOP with Auto Shutdown; Package: MSOP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| PHN210T | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 27V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SO |
| PHN210 | Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| PHN220 | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | SO |
| PHN405 | 4 N-channel 60 mohm FET array enhancement mode MOS transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHN103T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | SO |
| PHN103T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | SO |
| PHN110 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SO-8 |
| PHN110T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
| PHN15-4.1 | 制造商:Power-One 功能描述: |
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