參數(shù)資料
型號： PHM15NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 17.5 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 283K
代理商： PHM15NQ20T
Philips Semiconductors
PHM15NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 September 2003
3 of 13
9397 750 11845
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03aj28
10-1
1
10
102
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
100 μs
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10 μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
PHM15NQ20T,518 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17.5A SOT685-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:TrenchMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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PHM1990-15 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Microwave/Millimeter Wave Amplifier
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