參數(shù)資料
型號： PHD5N20E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 5 A, 200 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： PHD5N20E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHD5N20E
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm : Net Mass: 1.4 g
Fig.19. SOT428 : centre pin connected to mounting base.
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.20. SOT428 : soldering pattern for surface mounting
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.22 max
2.38 max
0.93 max
6.73 max
tab
0.3
0.5
10.4 max
0.5
0.8 max
(x2)
2.285 (x2)
seating plane
1.1
0.5 min
5.4
4 min
4.6
1
2
3
7.0
7.0
2.15
2.5
4.57
1.5
October 1997
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
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PHI214-25L Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25S Radar Pulsed Power Transistor, 25W, lms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-30EL Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, 1 .Oms Pulse, 10% Duty . 1.2 - 1.4 GHz
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