參數(shù)資料
型號(hào)： PHD5N20E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor
中文描述： 5 A, 200 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 55K
代理商： PHD5N20E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
PHD5N20E
Fig.1. Normalised power dissipation.
PD% = 100
P
D
/P
D 25 C
= f(T
mb
)
Fig.2. Normalised continuous drain current.
ID% = 100
I
D
/I
D 25 C
= f(T
mb
); conditions: V
GS
≥
10 V
Fig.3. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.4. Transient thermal impedance.
Z
th j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.5. Typical output characteristics
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth j-mb / (K/W)
1E+01
1E+00
1E-01
1E-02
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
D
t
BUKX52
0
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
160
180
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
PHP5N20
5.5 V
6 V
VDS, Drain-Source voltage (Volts)
ID, Drain current (Amps)
VGS = 4.5 V
5 V
7 V
10 V
Tj = 25 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
PHP5N20E
VDS, Drain-source voltage (Volts)
ID, Drain current (Amps)
DC
tp = 10 us
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
RDSON =VDSID
0
2
4
6
8
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
PHP5N20
ID, Drain current (Amps)
RDS(on), Drain-Source on resistance (Ohms)
Tj = 25 C
VGS = 10 V
7 V
6 V
4.5 V
5 V
5.5 V
October 1997
3
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHI214-20EL Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 2ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25L Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25S Radar Pulsed Power Transistor, 25W, lms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-30EL Radar Pulsed Power Transistor, 3OW, 1 .Oms Pulse, 10% Duty . 1.2 - 1.4 GHz
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