參數(shù)資料
型號： PHD36N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 43.4 A, 30 V, 0.017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大小： 89K
代理商： PHD36N03LT
PHD_PHP36N03LT_2
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2006. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 8 June 2006
3 of 13
Philips Semiconductors
PHD/PHP36N03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage
Fig 3.
03aa16
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
P
der
(%)
03aa24
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
mb
(
°
C)
I
der
(%)
P
der
P
tot 25
°
C
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25
°
C
)
--------------------
100
%
×
=
001aae811
V
DS
(V)
1
10
2
10
10
2
10
10
3
I
D
(A)
1
Limit R
DSon
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
1 ms
DC
相關PDF資料
PDF描述
PHP36N03LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD5N20E PowerMOS transistor
PHD83N03LT N-channel enhancement mode field-effect transistor
PHI214-20EL Radar Pulsed Power Transistor, 2OW, 2ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
PHI214-25L Radar Pulsed Power Transistor, 25W, 300ms Pulse, 10% Duty 1.2 - 1.4 GHz
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PHD36N03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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PHD37N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK
PHD37N06LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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