參數(shù)資料
型號： PH955L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Circular Connector; No. of Contacts:16; Series:; Body Material:Aluminum Alloy; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:20; Circular Contact Gender:Socket; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述： 62.5 A, 55 V, 0.0083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-4
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： PH955L
9397 750 14557
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 1 March 2005
4 of 12
Philips Semiconductors
PH955L
N-channel TrenchMOS logic level FET
5.
Thermal characteristics
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
2
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aaa778
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
-5
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
0.2
0.1
0.05
δ
= 0.5
0.02
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
相關PDF資料
PDF描述
PH965C6 SPECIFICATION
PH967C6 SPECIFICATION
PHA2731-140L Radar Pulsed Power Module, 140W, 300ms, 10% Duty 2.7 - 3.1 GHz
PHA2731-190M Radar Pulsed Power Amplifier-190 Watts 2.7-3.1GHz,200ms Pulse,10% Duty
PHA3135-130M Computers; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PH955L T/R 功能描述:MOSFET TRENCH-3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH955L,115 功能描述:MOSFET TRENCH-3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PH965C6 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:SPECIFICATION
PH965C6SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
PH9676C6 制造商:Fuji Electric 功能描述:Diode, Si, VF=5V, IO=10A, VRRM=600V, trr=30 ns, TO-247
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