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參數資料
| 型號： | PH28F128W18BD60A |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 60 ns, PBGA56 |
| 封裝： | 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件頁數： | 37/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 1496K |
| 代理商： | PH28F128W18BD60A |
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Intel
Wireless Flash Memory (W18)
07-Dec-2005
Intel Wireless Flash Memory (W18)
Datasheet
36
Order Number: 290701, Revision: 015
Notes:
1.
Section 14.2, “First Access Latency Count (RCR[13:11])” on page 86 describes how to insert clock cycles during the initial
access.
2.
WAIT (shown asserted; RCR[10]=0) can be configured to assert either during, or one data cycle before, valid data.
3.
This waveform illustrates the case in which an x-word burst is initiated to the main array and it is terminated by a CE# de-
assertion after the first word in the burst. If this access had been done to Status, ID, or Query reads, the asserted (low)
WAIT signal would have remained asserted (low) as long as CE# is asserted (low).
Figure 9.
Single Synchronous Read-Array Operation Waveform
R12
R13
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHC0683E1133-H | IC SOCKET |
| PHP12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD12NQ15T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHP15N06E | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH28F160C3BD70A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#865392FLASH 28F160C3BD 70 VF-PBGA46 C |
| PH28F256L18B85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F256L18B85A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#875138FLASH 28F256L18B 85 VF-PBGA79 S |
| PH28F256L18T85 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| PH28F320C3TD70A | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 2M x 16 70ns 48-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MM#869664FLASH 28F320C3TD 70 VF-PBGA47 E |
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