參數(shù)資料
型號： PF48F0P0ZBQ0
廠商： Intel Corp.
英文描述： Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述： 英特爾StrataFlash嵌入式存儲器
文件頁數(shù)： 44/102頁
文件大小： 1609K
代理商： PF48F0P0ZBQ0
1-Gbit P30 Family
April 2005
44
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
Datasheet
Note:
ignored during write operation.
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low). Clock is
Note:
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR[10]=0, Wait asserted low).
Figure 25.
Synchronous Read-to-Write Timing
Figure 26.
Write-to-Synchronous Read Timing
Latency Count
Q
D
D
W7
R305
R304
R7
R312
R307
R16
W15
W22
W21
W9
W8
W3
W22
W21
W2
R8
R4
W6
R11
R13
R303
R3
R104
R106
R102
R105
W18
W5
R101
R2
R306
R302
R301
CLK [C]
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E]
OE# [G]
WE#
WAIT [T]
Data [D/Q]
D
Q
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R15
R4
W20
W19
W18
W3
R11
R303
W6
W2
R104
R106
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
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PDF描述
PF48F2P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F3P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0ZBQ0 Intel StrataFlash Embedded Memory
PF48F4P0VB00 Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:43mm; Sensor Output Type:Relay; Leaded Process Compatible:No; Output Type:Relay; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Contact Current Max:3A; Contact Rating:3A
PF48F0P0VT00 Intel StrataFlash Embedded Memory
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PF48F2000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
PF48F2000P0ZTQ0 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx StrataFlash Embedded Memory
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